C - 在闪存中存储全局变量？

Question

正如标题所暗示的，我目前在我的程序中缺少 SRAM，我找不到减少全局变量的方法。是否可以将全局变量带到闪存中？由于这些变量是频繁读取和写入的，因此nand flash是否会因为它们的read/write循环次数有限而对nand flash不利？

如果闪光灯无法解决这个问题，EEPROM 会是一个不错的选择吗？

编辑：对不起，模棱两可的家伙。我正在使用 Atmel AVR ATmega32HVB，它具有： 2K字节的SRAM， 1K字节的EEPROM 32K字节的FLASH

编译器：AVR C/C++

平台：IAR 嵌入式 AVR

我要去掉的全局变量是：

uint32_t capacityInCCAccumulated[TOTAL_CELL];

和

int32_t AccumulatedCCADCvalue[TOTAL_CELL];

代码片段：

  int32_t AccumulatedCCADCvalue[TOTAL_CELL];
    void CCGASG_AccumulateCCADCMeasurements(int32_t ccadcMeasurement, uint16_t slowRCperiod)
{ 
    uint8_t cellIndex;
    // Sampling period dependant on configuration of CCADC sampling..
    int32_t temp = ccadcMeasurement * (int32_t)slowRCperiod;

    bool polChange = false;
    if(temp < 0) {
        temp = -temp;
        polChange = true;
    }

    // Add 0.5*divisor to get proper rounding
    temp += (1<<(CCGASG_ACC_SCALING-1));
    temp >>= CCGASG_ACC_SCALING;

    if(polChange) {
        temp = -temp;
    }
    for (cellIndex = 0; cellIndex < TOTAL_CELL; cellIndex++)
    {
        AccumulatedCCADCvalue[cellIndex] += temp;
    }

    // If it was a charge, update the charge cycle counter
    if(ccadcMeasurement <= 0) {
        // If it was a discharge, AccumulatedCADCvalue can be negative, and that
        // is "impossible", so set it to zero
        for (cellIndex = 0; cellIndex < TOTAL_CELL; cellIndex++)
        {
            if(AccumulatedCCADCvalue[cellIndex] < 0) 
            {
                AccumulatedCCADCvalue[cellIndex] = 0;
            }
        }
    }   
}

还有这个

uint32_t capacityInCCAccumulated[TOTAL_CELL];
void BATTPARAM_InitSramParameters() {
        uint8_t cellIndex;
        // Active current threshold in ticks
    battParams_sram.activeCurrentThresholdInTicks = (uint16_t) BATTCUR_mA2Ticks(battParams.activeCurrentThreshold);

        for (cellIndex = 0; cellIndex < TOTAL_CELL; cellIndex++) 
        {
    // Full charge capacity in CC accumulated
            battParams_sram.capacityInCCAccumulated[cellIndex] = (uint32_t) CCGASG_mAh2Acc(battParams.fullChargeCapacity);
    }
    // Terminate discharge limit in CC accumulated
    battParams_sram.terminateDischargeLimit = CCGASG_mAh2Acc(battParams.terminateDischargeLimit);

    // Values for remaining capacity calibration
    GASG_CalculateRemainingCapacityValues();
}

Answer 1

would it be bad for the nand flash because they have limited number of read/write cycle?

是的，频繁修改数据时使用闪存不是一个好主意。只读闪存不会减少闪存的使用寿命。擦写会减少flash的寿命。

与传统内存相比，从闪存读取和写入速度要慢得多。

要写入一个字节，必须擦除整个块并重新写入闪存。

Answer 2

任何类型的 Flash 都不是用于频繁更改值的好主意：

erase/write 循环次数有限，请参阅数据表。
非常慢 erase/write（擦除大约需要 1 秒），请参阅数据表。
您需要一个特殊的顺序来先擦后写（无语言支持）。
虽然最多阻止对闪存的擦除或写入访问，但有些要求根本不访问闪存（未定义的行为）。
闪存单元不能自由写入per-byte/word。大多数必须按页写入（例如 64 字节）并以更大的单位擦除大部分时间 (segments/blocks/sectors)。

对于NAND Flash来说，与NOR Flash相比，耐久性更差，而且单元的可靠性也更差（位可能偶尔会翻转或有缺陷），所以你必须添加错误检测和纠正。这很可能是你不应该去的方向。

真正的 EEPROM 共享大多数问题，但它们可能被写入 byte/word-wise（内部擦除）。

请注意，现代 MCU 集成 "EEPROM" 大多数时候也是闪存。一些实现只是使用稍微更可靠的单元（比程序闪存多 erase/write 周期大约十年）和允许任意 byte/word 写入（自动擦除）的额外硬件。但这对于频繁更改仍然不够。

但是，您首先应该验证您的应用程序是否可以容忍如此长的 write/erase 次。你能接受一个阻塞那么长时间的进程，或者相应地重写你的程序吗？如果答案是"no"，你甚至应该停止对该方向的进一步调查。否则，您应该计算预期生命周期内的更新次数，并与数据表中的信息进行比较。也有减少擦除次数的方法，但是太过分了。

如果可以选择外部设备 (I2C/SPI)，则可以使用串行 SRAM。尽管更好（并且可能更便宜）的方法是更大的 MCU 或考虑更有效（即更少的 RAM，更多的代码）的方法来将数据存储在 SRAM 中。

C - 在闪存中存储全局变量？

C - Store global variables in flash?

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