当 属性 writeBehindEnbled 设置为 true 时，插入率降低

Question

我通过将 write-through 设置为 true 来使用 Ignite 的缓存适配器。

场景 1：

• 在写入过程中，我将数据持久化到 HBase。
• 为此，我在 Ignite 中插入了 100000 个对象，然后在 HBase 中插入，所需时间约为 82 秒。

场景 2：

• 我将后写 属性 设置为 true。
• 我在 Ignite 中插入了 100000 个对象，然后在 HBase 中，这需要大约 124 秒的时间。

结果如下。

    Write-behind      Objects      Time in ms

     true             1,00,000      81962
     false            1,00,000      123517

据我所知，如果我们使用后写缓存，它会以异步模式工作 但它给出了意想不到的结果。我哪里出错了。

Answer 1

您希望得到什么结果？后写模式只是稍后安排存储更新，这比每次缓存更改时立即更新要快得多。

要调整它的行为，您可以检查 setWriteBehindBatchSize, setWriteBehindFlushFrequency, setWriteBehindFlushSize, setWriteBehindFlushThreadCount。